K9F1G08UOM-PCBOddr1笔记本内存主图

K9F1G08UOM-PCBOddr1笔记本内存参数

制造商IC编号K9F1G08UOM-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码128MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F1G08UOM-PCBOddr1笔记本内存相关信息

在过去的几年中，许多存储技术和市场都处于酝酿状态，近企业级存储系统开始使用SCM存储级内存技术的消息越来越多，与以往不同的是，SCM不只是用作读写缓存，而且还用在持久存储层。那么这项技术将对存储行业产生多大的影响呢？

SCM介质本身比NAND SSD快，比DRAM内存要慢，因为还支持字节寻址，所以写入的时候不用先擦除整个块，大大减少写放大，而且延迟会低很多，寿命很长，相比NAND有许多先天优势。

简单来讲，SCM 就是DRAM 与SSD 的中介，一种高速读写的非挥发性记忆体技术，用来改善系统整体I/O 效能。

在理想中，它是一种速度能与DRAM 媲美，但成本逼近传统硬盘的新型储存技术。当然目前大概只有读取速度能与DRAM 比肩，写入速度仍有差距，且在SSD 的单位成本已逼近传统硬盘的境况下，SCM 还没有足够的性价比做为底层储存装置。

在现有AFA存储系统中，为追求NVMe SSD的性能，软件栈本身带来的时延已经无法忽略 。

相比SSD，SCM介质的访问时延有几个数量级的差异（从数百微秒级到数百纳秒级），软件栈时延的问题将更为凸显。如传统的从应用到内核的软件栈对功能的分解层级清晰，对于慢速的存储介质是合适的，但对于SCM这样的超高速介质则成为了速度的瓶颈。

基于同样的原因，网络时延在SCM系统中的占比也成为了影响系统时延的主要矛盾。如何构建高速、稳定的网络，成为了能否在系统中充分利用SCM介质性能的关键因素。

SCM相对于NAND的优势存储级存储器SCM能够如同NAND闪存一样保留其内容的能力，也能有像DRAM一样的的速度，这使得它终将取代闪存作为的高速存储介质。

由于闪存的固有设计，SCM在这块要好很多。性能问题和闪存延迟的原因之一是使用垃圾收集以满足新写入。将数据写入闪存驱动器时，无法覆盖旧信息。它必须在其他地方写入一个新数据块，并在磁盘I / O暂停时删除旧文件。

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