K9F2G08U0C-SCB0海力士ddr3内存主图

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制造商IC编号K9F2G08U0C-SCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码256MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用MODULE/FLASH CARD MAKER/記憶体/記憶卡製造商

K9F2G08U0C-SCB0海力士ddr3内存相关信息

针对存储器市况，封测厂力成总经理洪嘉鍮22日在财报会中预期，今年全年有望转为正增长，主要是库存状况恢复情形良好，不过明年第1季情形仍需观察中美贸易战局势。此外，也看好扇出型晶圆级封装（Fan-out）进展，将挹注运营。他解释，虽然看公司西安厂每月1.3亿颗产能并没有扩增，不过可以看见DRAM、NAND Flash价格均恢复平稳，目前产业库存下降很多，加上大厂有在减产，而PC、数据中心、5G、AI等带动各种存储器需求也看佳，预期接下来供需趋向平衡。

他进一步说明，像是PC、数据中心需求回温，推动服务器需求同步提升，以及智能手机销量优于预期，消费电子如电竞、TV及物联网等需求稳定增长，还有未来5G、AI、高效能运算、大数据等需求显著增温，像是全球一线数据中心大厂如亚马逊、脸书、谷歌、微软、苹果、阿里巴巴等，今年上半年投资至少减少10%，但下半年均开始恢复投资，显见大厂对存储器市况态度转好，预期第4季业绩有望优于旺季第3季，明年首季更有机会写同期新高。

此外，洪嘉鍮指出，对明年上半年存储器封测业务持正向态度，且为因应明年首季客户需求强劲，公司10月起持续扩充产能，“像这样到第4季仍在扩产的情形是的”，他直言，今年情况相当特殊。业内人士认为，整体展望气氛较上半年乐观许多。

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