K9F4G08UOA-PCBO笔记本ddr内存主图

K9F4G08UOA-PCBO笔记本ddr内存参数

制造商IC编号K9F4G08UOA-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码512MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F4G08UOA-PCBO笔记本ddr内存相关信息

紫光 DRAM 战略起航，“从芯到云”建设要来了？

昨日深夜 11 点，紫光集团宣布组建 DRAM 事业群。这标志着紫光集团 DRAM 战略正式起航，将进一步拓宽紫光集团在存储器领域的相关布局，深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。 从行业角度看，目前全球超过 90%的 DRAM 市场份额集中在三星、海力士、美光这三家公司手里，国内 DRAM 制造厂商仅有两家（尚未大规模投产），此次紫光集团进击 DRAM，或将对全球 DRAM 市场产生深远影响。 短期看，国内 DRAM 厂商可能无法撼动“三巨头”的地位，但假以时日，背靠广阔的中国市场和国产替代机遇，则有望打破寡头格局。

有备而来进击 DRAM，紫光集团是有备而来。 一方面，经过多年的发展，紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。在 DRAM 领域，紫光集团旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复 DRAM 存储器产品（ECC DRAM）。紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的三维闪存和 DRAM 的工艺研发人员，工艺研发人员人数近 2000 人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近 6000 人。 另一方面，出任 DRAM 事业群的董事长刁石京和 CEO 高启全均在集成电路及存储领域有深厚的技术积累和丰富的产业经验。两人加入紫光集团已有时日，这对理解紫光集团建设“从芯到云”的产业链也更为深刻。

 

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