K9K8G08U0B-PIB0ddr1笔记本内存主图

KK9K8G08U0B-PIB0ddr1笔记本内存参数

制造商IC编号K9K8G08U0B-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用MOTHERBOARD MANU./主機板製造商OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9K8G08U0B-PIB0ddr1笔记本内存相关信息

韩国作为内存芯片产业的主导者，三星、SK 海力士在 DRAM 产业的市占率达到 70%以上，同时还掌握着 45%NAND 市场的话语权。

然而，近年来内存产品受到供过于求和需求疲软的困扰，内存和闪存价格崩盘，使得各大存储厂商业绩不断下滑

价格突然升高已开始加剧各界的担忧，日本的限产措施将很快印证影响全球供应的猜测。韩国某芯片制造商的业内人士表示，客户正“密切关注形势”，但“由于需求仍然疲软，尚未开始囤积存储芯片，目前仍采取了观望态度”。

据瑞银分析，预计第三季度 NAND 芯片价格将下降 5%，源于东芝的停电减产和日本的出口限制，低于此前预测的 10%的季度环比降幅，但该公司保持对 DRAM 合同价格下降 17%的预测不变。

回看整个内存市场，大家本都是随着芯片价格“一荣俱荣，一损俱损”，但随着日本对韩国的制裁，三星和 SK 海力士又平添了可能断供的麻烦。因此，本轮芯片价格上涨的明显赢家将是韩国存储厂商之外的美光、东芝、Nanya 和西部数据等企业。

当时有业内人士分析，智能手机市场饱、内存产品需求下降以及 DRAM 和 NAND 内存芯片的库存将继续过剩，内存产品的价格下跌态势并未改变，在整体电子业市场不景气的情况下，可能还要等上数季才能回升。

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