MT41K256M16HA-125 IT:E存储芯片优质供应主图

MT41K256M16HA-125 IT:E存储芯片优质供应参数

制造商IC编号MT41K256M16HA-125 IT:E

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3LP SDRAM

IC代码256MX16 LPDDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.35v

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度1600 MT/s

标准包装数量1020

标准外箱潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買ICPC BOARD MANU./PCB板製造商VGA CARD MANU./顯卡製造商

MT41K256M16HA-125 IT:E存储芯片优质供应相关信息

在今天开始的全球技术大会GTC上，Globalfoundries宣布推出12LP+工艺，这是12nm LP工艺的改进版，性能提升20%，功耗降低40%。

从AMD拆分出来的GF公司去年8月份突然宣布放弃7nm及以下工艺，专注14/12nm及特种工艺，为此AMD也不得不将7nm订单完全转交给台积电。GF这边，14/12nm工艺依然会给AMD代工，现在的7nm锐龙及霄龙处理器的IO核心还是GF代工的。

虽然不追求更的的工艺了，但是GF并不会停止技术升级，这次推出的12LP+工艺是在12nm LP基础上改良优化的，与后者相比性能提升了20%，功耗降低了40%，面积缩小了15%。

该工艺的一大特点是高速，SARM单元电压低至0.5V，支持处理器、内存之间的高速低功耗数据传输，这是计算及AI应用中的重要要求。

与此同时，GF还同步推出了适用于AI应用及程序/技术联合开发服务的设计参考套件，这两者都能从整体上提高AI电路的设计，实现低功耗、低成本的开发。

另外一个关键功能就是2.5D封装，该技术有助于将高带宽内存HBM与处理器集成在一起，以便进行高速、低功耗的数据传输。

GF表示12LP+工艺可以在AI应用中充分利用ARM的物理IP及POP IP核心，同时这两种IP方案也适用于原始的12nm工艺。

对于12LP+工艺，GF表示他们的12LP+解决方案可以给客户提供他们希望从7nm工艺中获得的性能、功耗优势，但NRE成本只有7nm工艺的一半，可以节约很多。此外，12nm工艺已经足够成熟，客户流片速度也会很快，有助于快速满足不断增长的AI市场需求。

根据GF的消息，12LP+工艺的PDK现在已经可用，正在跟多个客户合作，预计在2020下半年流片，2021年开始在纽约的Fab 8工厂量产。

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