LM2594M-ADJ放大器欲购从速品质保证主图

LM2594M-ADJ放大器欲购从速品质保证参数

制造商IC编号LM2594M-ADJ

厂牌TEXAS/TI/德仪

IC 类别VOLTAGE REGULATOR

IC代码LM2594

脚位/封装TAPE

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

LM2594M-ADJ放大器欲购从速品质保证相关信息

据“半导体行业观察”17日引述知情人士的话称，合肥长鑫8Gb LPDDR4正式投片。文章感慨道：“这是国产DRAM产业的一个里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储，国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破，为推动存储国产化掀开了重要一页。”

无独有偶，合肥长鑫合作方兆易创新16日发布公告，董事长朱一明辞去总经理职务，但仍将担任董事长一职。

而据“半导体行业观察”引述知情人士的话称，朱一明下一步将赴合肥长鑫担任重要职位。另据微信公众号“DIGITIMES”的消息，他将从现任CEO王宁国手中接过合肥长鑫、睿力集成电路（下称：睿力）CEO的职位。

朱一明 资料图

兆易创新公告截图

“一切都在计划之内”

今年4月15日，合肥长鑫时任CEO王宁国在合肥集成电路重大项目发布会上宣布了5年规划。“半导体行业观察”报道称，从投产时间来看，一切都在计划之内。

图源：社交媒体

规划显示，2018年底，合肥长鑫将开始生产8Gb DDR4存储器的工程样品；2019年底有望达到2万片/月的产能；2020年再开始规划二厂厂房的建设；2021年要完成对17nm工艺节点的技术研发。

不过，就在昨天（17日），三星宣布成功开发业界首款10nm级别的8Gb LPDDR5 DRAM芯片，预计在明年会与消费者们见面。

而随着内存三巨头在DDR5、GDDR6的技术积累已经基本完成，产业布局也更为成熟。在可以预期的2-3年内，国产内存极有可能会面临着出生即落后的境遇。

目前，国内存储芯片研发制造方面共分为三大阵营，无论是合肥长鑫、长江存储还是福建晋华，都基本将量产时间定于2019年上半年。

其中DDR4的进度普遍较快，但在应用前景和风险都相当可观的LPDDR4领域，只有合肥长鑫进度快。

“项目盈利之前，不领薪酬奖金”

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