K4X1G163PE-FGC6DDR内存主图

K4X1G163PE-FGC6DDR内存参数

制造商IC编号K4X1G163PE-FGC6

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR1LP SDRAM-MOBILE

IC代码64MX16 LPDDR1

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格-25 C~+85 C(WIR

速度标准包装

数量标准

外箱潜在应用LED APPLICATION/LED應用

单词量64m

一些组织乘16

密度1g

内部银行4银行

第六代

功率低,i-TCSR & PASR & DS

K4X1G163PE-FGC6DDR内存相关信息

压敏电阻的使用一般是并联在电路中，在两端的电压发生急剧变化时，压敏电阻可能会短路从而将里边的电流保险丝熔断掉，一定程度上起到保护作用。

压敏电阻的作用是用于电源出现高压时起到保护和稳定的作用。压敏电阻的特点是随着电压的增大，电阻不断变小，可以从兆欧降低到毫欧级，幅度非常大，电压敏感特性明显。

当电压处于低值时候，压敏电阻处于漏电流工作区，这时候压敏电阻阻值很大，漏电流非常小，可以忽略不计。

当电压升高进入非线性区时，电流在相当大的范围内变化，电压基本无变化，限制电压的效果明显。

电压继续升高，超过压敏电阻的负荷时，过流负载太高，就会导致压敏电阻毁坏或者爆裂。

判断压敏电阻通常需要一个调节电压范围很宽的一个电源，并且具有很好的限流作用。测量时在压敏电阻两端并联精密度很好的电压表。把可调电源引线连接到压敏电阻两端。

缓慢调节电压上升，电压表指示电源电压，观察到达某个电压之后电压突然降低，降低之前最后时刻电压就是压敏电阻的保护值。

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