NT5TU32M16DG-BEmp3闪存芯片量大从优主图

NT5TU32M16DG-BEmp3闪存芯片量大从优参数

制造商IC编号NT5TU32M16DG-BE

厂牌NANYA/南亞

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

NT5TU32M16DG-BEmp3闪存芯片量大从优相关信息

如何评价固态硬盘磨损？

一直以来QLC技术因为其稳定性较差以及P/E寿命仅为SLC的百分之一而备受质疑。殊不知，这种传统的评价体系对于QLC可能有失公允。

不同于HDD可用新数据直接覆盖现有数据，基于NAND Flash的固态硬盘在写入时，必须在写入之前执行擦除动作，这个写入/擦除的周期成为P/E周期。由于QLC的写入寿命相较于SLC，MLC和TLC差，因此P/E寿命短。

对于QLC NAND Flash因为每个cell里面的bit数量增多，单位面积容量就越高，同时会导致不同电压状态越多，并且越难控制，稳定性越差，P/E寿命也越差。

然而，我们之前忽略了NAND Flash颗粒的一个闪光点，即NAND Flash颗粒仅在写入时会产生磨损，而读取应用产生的磨损微不足道。而HDD在读取和写入时均会产生磨损。

随着SSD应用的不断扩展，P/E周期已经不能用来客观评价SSD寿命。业界逐渐形成了以存储设备具有额定磨损值来讨论SSD的耐久性，通常用每日硬盘写入量DWPD表示，DWPD=TBW/[（驱动器容量）*（保修期（天）]（其中TBW指硬盘总写入量）。

不要高估DWPD需求，很多高速增长的存储需求所需要的DWPD都较低

随着5G应用的逐步推广，我们将进入数据大爆炸时代，业内人士指出，人工智能、物联网、机器学习、大数据分析等产生的海量数据大部分是以读为中心的工作负载。

由于读操作对NAND Flash几乎不会产生磨损，因此这些以读为中心的应用程序非常适合SSD。在早期，因为业内高估了人们对写操作的要求，通常要求SSD具有比较高的DWPD，随着业界对工作负载读/写配置文件有了更好的了解，发现随着时间的推移，DWPD需求是急速减少的。

取长补短，各大厂商纷纷发掘QLC优势，高密度存储时代到来！

各大原厂纷纷看好QLC成长空间，并取长补短的技术策略，三星、美光及西部数据充分发挥QLC在读取密集型应用的长处，并通过技术改善大幅度提升产品的耐久性。

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