W9751G6KB-25I华邦阵列卡芯片价格主图

W9751G6KB-25I华邦阵列卡芯片价格参数

制造商IC编号W9751G6KB-25I

厂牌WINBOND/華邦

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

W9751G6KB-25I华邦阵列卡芯片价格相关信息

长鑫存储的DRAM项目总投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，一期建设的是12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆。

据朱一明介绍，长鑫存储花了14个月的时间就完成了晶圆厂建设，一共花费25亿美金用在研发和资本支出。

另外去年福建晋华由于与美光的专利纠纷，最终导致晋华被禁运，彻底停摆。而这也对长鑫存储造成了一定的影响。因此，长鑫存储也格外的低调，格外的重视研发的合规和IP策略。朱一明当时表示，长鑫存储已经拥有16000项专利申请。

资料显示，目前长鑫存储开发的是19nm工艺的DRAM内存芯片，去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品，今年三季度推出8Gb LPDDR4内存样品。

根据最新的消息显示，目前合肥长鑫的DRAM研发进展顺利，已经提前进行机台安装，有望在今年年底顺利量产国产DRAM内存，月产能将达到2万片晶圆，后续会不断提升到12.5万片晶圆/月的目标产能。

虽然长鑫存储的19nm 8Gb DDR4内存与美光、三星等公司的先进的第三代10nm工艺内存还有一两代的代差，但是量产推向市场还是可以的，因为市面上很多内存条也就是这个规格，用于制备单条8GB、16GB的内存条也没有问题。

可以说，这个起点还是非常高的，但后续的良率、产能提升才是关键。另外还需要加快缩小与美光、三星等DRAM厂商的技术差距。

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