K4T1G164QG-BCE7mp3闪存芯片主图

K4T1G164QG-BCE7mp3闪存芯片参数

制造商IC编号K4T1G164QG-BCE7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码64MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度800 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用MODULE/FLASH CARD MAKER/記憶体/記憶卡製造商OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買ICV8/ CAMCORDER/ DIGITAL CAMARA/攝像機/數碼相機

K4T1G164QG-BCE7mp3闪存芯片相关信息

压敏电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合。压敏电阻器可以对IC及其它设备的电路进行保护，防止因静电放电、浪涌及其它瞬态电流（如雷击等）而造成对它们的损坏。使用时只需将压敏电阻器并接于被保护的IC或设备电路上，当电压瞬间高于某一数值时，压敏电阻器阻值迅速下降，导通大电流，从而保护IC或电器设备;当电压低于压敏电阻器工作电压值时，压敏电阻器阻值极高，近乎开路，因而不会影响器件或电器设备的正常工作。

MYE表示高负荷型压敏电阻，也有厂家用MYT表示通用型，MYL表示防雷型。

选用方法（一般情况）：

1、压敏电压值应大于实际电路的电压峰值，一般为：U1mA =K1×/K2×K3× UCU1mA ---- 压敏电压UC ---- 电路直流工作电压（交流时为有效值）K1 ---- 电源电压波动系数，一般取1.2K2 ---- 压敏电压误差，一般取0.85K3 ---- 老化系数，一般取0.9交流状态下，应将有效值变为峰值，即扩大√2倍，实际应用中可参考此公式通过实验来确定压敏电压值。

2、通流量实际应用中，压敏电阻器所吸收的浪涌电流应小于压敏电阻的峰值电流，以延长产品的使用寿命。压敏电阻的检测。用指针式万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。

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