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英飞凌 IGBT芯片 IKW50N60H3 IKW50N60T 二极管

英飞凌 IGBT芯片 IKW50N60H3 IKW50N60T 二极管
英飞凌 IGBT芯片 IKW50N60H3 IKW50N60T 二极管
  • 型号/规格:

    IKW50N60H3 IKW50N60T

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    T0-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 反向电压:

    600

  • 整流电流:

    50

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:深圳市速成科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 075583768303

    手机:15999534632

    联系人:林小姐

    QQ: QQ:1741214588

    邮箱:1741214855@qq.com

    地址:广东深圳龙岗区坂田街道五和社区光雅园路1号402

商品信息 更新时间:2019-05-05

全新原装正品,假一赔十。

品牌:英飞凌 Infineon

型号 : IKW50N60H3 IKW50N60T

描述:

在TO-247封装中,与续流二极管共同封装的高速600伏、50安硬开关挖沟机IGBT3在开关损耗和传导损耗之间提供了最佳折衷。该系列的主要特点是像场效应晶体管一样的关断开关行为,导致低关断损耗。


特征描述:

高效率的低开关损耗

由于著名的英飞凌挖沟机技术,VCEsat表现出色

具有低电磁干扰发射的快速开关行为

针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善

可以选择低栅极电阻(低至5ω),同时保持出色的开关性能

短路能力5 s

提供最高175℃的Tj温度

带续流二极管和不带续流二极管封装,增加设计自由度


优势:

低开关和传导损耗

非常好的电磁干扰行为

可与小栅极电阻配合使用,以减少延迟时间和电压过冲

高电流密度

一流的600伏IGBT效率和电磁干扰性能


 IKW50N60DTP

 IHW30N65R5

 IHW25N120R5

 IHW30N135R5

 IKD06N60RF

 IKCM15L60GA

 IRAM256-1567A2

 IPP023N08N5

 IPW65R110CFD

 SPW35N60C3

 IPP111N15N3G

 IPW65R080CFD

 SPW47N60C3

 IPP110N20N3G

 IPW65R041CFD

 SPW47N60CFD

 IPP320N20N3G

 IPW65R190CFD

 IPB107N20N3G

 IPP200N25N3G

 IPP075N15N3G

 SPW17N80C3

 SPP17N80C3

 IKW30N60H3

 IKW30N60T

  IKW40N60H3

  IKW40N65WR5

  IKW15N120T2

  IKW25N120T2

  IKW40N120T2

  IKW40N120H3

  IGCM06F60GA

  IKCM10H60GA

  IKCM30F60GA


联系方式

企业名:深圳市速成科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 075583768303

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