瞬态电压抑制器二极管（也称为瞬态抑制二极管——TVS Diode）专门用于保护电子电路，以防受到 瞬变和过压的危害，例如：EFT（电气快速瞬变）以及ESD（静电放电）。瞬态抑制二极管是采用硅雪崩技术的器件，因其具有反应时间快（低钳位电压）、电容值较低和漏电流低等特点而被选用。

 

公司强势推出低容TVS系列 PESDUC9D5VU PESDUC9D5VB PESDUC9D12VU PESDWC9D3V3B PESDWC9D5VB PESDLC9D5VB PESDSC9D5VU PESDZC9D5VU PESDMC9D5VU PESDUC5D5VU PESDUC5D5VB PTVSUC3D3V3B PTVSUC3D5VB PTVSLC3D3V3B PTVSLC3D5VB PTVSLC3D8VB PTVSLC3D12VB PTVSLC3D24VB PTVSSC3D5VB

主要特性：

出色的ESD保护特性

极低容抗

超快的响应速度(<1ns)

低钳位电压

超低漏电流

IEC 61000-4-2,level 4 (> 15 kV 非接触放电, > 8 kV 接触放电)

HBM MIL-Std 883, class 3(> 4 kV)

企业名：深圳市诚谦顺电子有限公司

类型：原厂制造商

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