快恢复二极管
HVGT
HV-TG1015
DO-415
-40~120
19+
是
安防设备,医疗电子,新能源
电话:4001-83-84-85
手机:15902053399
SHV049
HVGT
DO-415
无铅环保型
直插式
单件包装
电话:0755-83250753
手机:13723795532
*99
TCK
DO
无铅*型
直插式
散装
*率
高频
电话:020-81857822
手机:13318707498
2CL71
HF
DO-308
无铅环保型
直插式
散装
大功率
高频
电话:020-62794050
手机:13763389692
大功率
固定
30KV(V)
220PF(uF)
中频
倍压
BY-SZ-30KV-220PF-n12
-25~+85
电话:0769-22023949
手机:13712234277
RP1H
SANKEN
DO-15
无铅*型
直插式
盒带编带包装
大功率
*频
电话:0755-83219396
材质:FeSi75-C 产地:中国云南 粒度:8~5硅铁的用途:(1)在炼钢工业中用作脱氧剂和合金剂。为了获得化学成分合格的钢和*钢的质量,在炼钢的阶段*须进行脱氧,硅和氧之间的化学亲和力很大,因而硅铁是炼钢较强的脱氧剂...
电话:0871-4644822
品牌:国产 型号:硅粒子6A1200V 应用范围:其他 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 功率特性:大功率 频率特性:*频 正向工作电流:-(A) 反向电压:-(V)长期供应电子元件种类*欢迎选购我公...
电话:024-22959696
材质:FeSi75-A 产地:宁夏 粒度:自然块、合格块、硅粒、硅粉 硅铁用途 硅和氧很容易化合成二氧化硅。所以硅铁常用于炼钢作脱氧剂,同时由于SiO2生成时放出大量的热,在脱氧同时,对*钢水温度也是有利的。硅铁作为合金...
电话:0531-88998718
材质:72 产地:民和 粒度:3-10供应精选硅粒(孕育剂)含硅量72以上,用于冶金、机械工业,作为钢及有色金属的添加剂及合金剂,起硫脱磷、脱氧除气及净化作用,从而*材质的机械性能和使用效果。每月300吨,吨袋包装。
电话:0519-88812698
材质:FeSi75-A 产地:贵州 粒度:1—3mm 3—10mm我公司现在供应各种型号硅粒1—3mm. 3—10mm. 5—15mm 理化指标: SI:76.41%. AI:0.857%. C:0.21%. ...
电话:0851-5508957
材质:FeSi75-A 产地:徐州 粒度:20安徽省九华富康工贸有限公司章礼虎 先生 (销售部总经理) 地址:中国 安徽 青阳县 安徽省青阳县木镇镇南河桥邮编:242803传真:86 移动电话:电话:86 公司主页:http://jhfukang.cn....
电话:0566-5614686
牌号:72 产地:贵州 含量≥:73.56(%)1----3mm 3----10mm 5----10mm 指标:Si:73.65 Al:0.851 C:0.18 S:0.02 P0.039
电话:0851-5566411
材质:硅铁粒 产地:安阳 粒度:1-3,3-8,5-10硅铁粒,即硅铁孕育剂,适用于*灰铁、球铁 铸件,其特点为:1、成分均匀,偏析小; 2、粒度均匀,无细粉,孕育效果稳定; 3、孕育效果强于普通硅铁,产生渣的倾向也小; 4、...
电话:0372-5688821
材质:FeSi72 产地:宁夏 粒度:根据客户要求 宁夏轩和商贸有限责任公司,位于“塞上江南”宁夏平原,宁夏交通便利、境内矿产资源丰富,是国内重要的冶金矿产基地,我公司是一家经营冶金炉料...
电话:0952-2651652
电话:0372-5686784
品牌:飞利蒲 型号:飞利蒲 材料:硅 类别:直插 结构:点接触型 封装材料:玻璃封装 电流容量:小功率 整流电流:300m(A) 反向电压:20kv(V) 封装形式:玻璃封装 应用范围:整流桥、高压硅20kv,300ma原装飞利蒲高压硅粒子
电话:0572-8329268
品牌:PHILIPS飞利浦 型号:10KV-25KV 应用范围:恒流 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:陶瓷封装 功率特性:大功率 频率特性:高频 发光颜色:白色 LED封装:无色散射封装(W) 发光强度角分布:标准型 正...
电话:021-53085235
应用范围:整流 品牌:友达电子 型号:ZP15 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:功率型 封装材料:陶瓷封装 功率特性:*率 频率特性:中频 发光颜色:无 LED封装:无色透明(T) 反向工作电压:600(V) 正向工作电流:15A(mA) ...
电话:0579-82751967
薛 清,李冠成,王秉坤 (淮海工学院数理科学系, 江苏 连云港 222005) 摘要:报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。 关键词:纳米硅;快速热退火;非晶硅 中图分类号:TN305 文献标识码: A 文章编号:1003-353X(2004)10-0020...