现货供应兆意创新GD25Q16CSIG闪存FLASH芯片

存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
存储容量：
16Mb
存储器接口：
SPI
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装：
SOP-8

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集成电路(IC)(21)
∟ 射频IC(1)∟ 其他IC(20)
电源IC(8)
∟ LED驱动IC(1)∟ 稳压IC(2)∟ 充电管理IC(2)∟ 其他电源IC(3)
半导体存储器(16)
∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(16)
二极管(1)
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放大器(1)
∟ 放大器(1)

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商品信息 更新时间：2022-06-21

GD25Q16CSIG详细中文参数
类别：集成电路（IC）存储器
制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
包装：管件
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
GD25Q16CSIG存储容量:16Mb（2M x 8）
存储器接口:SPI - 四 I/O
写周期时间: - 字，页 50μs，2.4ms
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
GD25Q16CSIG工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
时钟频率: 120 MHz

GD25Q16CSIG详细描述：

1.16M 位串行闪存
2.快速编程/擦除速度
-2048K-Byte -Page 编程时间：0.6ms 典型值
每个可编程页面 -256 字节 -扇区擦除时间：典型值为 45 毫秒
-块擦除时间：0.15/0.25s（典型）
3. 标准、双路、四路 SPI - 芯片擦除时间：典型值 7s
- 标准 SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
-双SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
4.灵活的架构
-Quad SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3 -4K 字节的统一扇区
- 32/64K 字节的统一块
5.高速时钟频率
-120MHz 可在 30PF 负载下快速读取
6. 低功耗
-双 I/O 数据传输高达 240Mbits/s -1uA 典型深度掉电电流
-Quad I/O 数据传输速度高达 480Mbits/s -1uA 典型待机电流
7.软件/硬件写保护
- 通过软件写保护所有/部分内存
- 使用 WP# 引脚启用/禁用保护 -4x256 字节安全寄存器和 OTP 锁
- 顶部/底部块保护 - 可发现参数 (SFDP) 寄存器
8. 至少 100,000 个编程/擦除周期
11. 单电源电压

-全电压范围：2.7~3.6V