NAND闪存：K9F2G08U0B-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSOP
工作温度：85 °C
工作温度：-40 °C
电源：3/3.3 V
长度：18.4 mm
压摆率：0.035 mA
供电电压 (Vsup)：3.6 V
供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V

NAND闪存：K9F2G08U0B-PIB0功能摘要：
•电源
  -2.7V设备（K9F2G08B0B）：2.50V〜2.90V
  -3.3V设备（K9F2G08U0B）：2.70V〜3.60V
•组织
  -存储单元阵列：（256M + 8M）x 8位
  -数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
  -页面程序：（2K + 64）Byte
  -块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
  -页面大小：（2K + 64）Byte
  -随机读取：25μs（值）
  -串行访问：25ns（）
256M x 8位NAND闪存
•快速的写入周期时间
  -页面编程时间：200μs（典型值）
  -块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
  -电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
  耐久性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 512ByteECC）
  -资料保留时间：10年
•命令驱动操作
•版权保护的ID
•包装：
  -K9F2G08X0B-PCB0 / PIB0：无铅封装
  48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

NAND闪存：技术说明1：                               NAND闪存：技术说明2：

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