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MT29F1G08ABAEAWP:E Micron 20+ TSOP48 NAND闪存SLC 1G 128MX8

MT29F1G08ABAEAWP:E Micron 20+ TSOP48 NAND闪存SLC 1G 128MX8
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普通会员
  • 企业名:深圳市艾立芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

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产品分类
商品信息

参数详情
参数名称 参数值
是否Rohs 符合 符合
生命周期 Active
IHS 制造商 MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明 TSOP1,
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 3A991.B.1.A
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 5.71
JESD-30 代码 R-PDSO-G48
JESD-609代码 e3
长度 18.4 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 48
字数 134217728 words
字数代码 128000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
工作温度 70 °C
工作温度
组织 128MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
编程电压 2.7 V
座面高度 1.2 mm
供电电压 (Vsup) 3.6 V
供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的长时间 30
类型 NAND TYPE
宽度 12 mm
Base Number Matches 1

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