FP40R12KT3产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 55 A
封装 / 箱体: Econo 2
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
技术: Si
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP40R12KT3BOSA1 SP000100447 FP40R12KT3BOSA1
单位重量: 180 g

企业名：深圳市国宇半导体科技有限公司

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