功率驱动器模块  NFAM2012L5BT

制造商编号：NFAM2012L5BT

制造商： ON Semiconductor

功率驱动器模块  NFAM2012L5BT

制造商:   ON Semiconductor     

产品种类:      门驱动器      

RoHS:     详细信息    

产品:      IGBT, MOSFET Gate Drivers

类型:      High Side      

安装风格:      Through Hole

封装 / 箱体:  DIP-39   

激励器数量:   6 Driver 

输出端数量:   6 Output

输出电流:      2 mA     

电源电压-:     600 V    

电源电压-:     800 V    

配置:      Inverting

上升时间:      -    

下降时间:      -    

工作温度:      - 40 C   

工作温度:      + 150 C 

封装:      Tube      

技术:      Si    

商标:      ON Semiconductor     

传播延迟—值:      -    

关闭:      No Shutdown

关闭延迟时间:      2.8 us    

开启延迟时间:      2.1 us    

Pd-功率耗散: 125 W   

产品类型:      Gate Drivers 

工厂包装数量:      90   

子类别:   PMIC - Power Management ICs  

功率驱动器模块  NFAM2012L5BT

 ON Semiconductor 介绍：

ON Semiconductor致力于推动高能效创新，帮助客户减少全球能源消耗。该公司是一家领先的半导体解决方案供应商，其提供的全面产品组合包括高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、计时、连接、分立、SoC以及定制器件。该公司的产品可助力工程师能够在以下领域应对其独特的设计挑战：汽车、通信、计算、消费电子、工业、医疗、航空航天与国防等应用。安森美半导体拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序以及稳健的合规和道德程序，并在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中形成了庞大的制造基地、销售办事处以及设计中心网络。

产品图：

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