单个 Vishay   SIHB068N60EF-GE3 

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SIHB068N60EF-GE3

单个 Vishay   SIHB068N60EF-GE3  

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)41A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）68 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）77 nC @ 10 V

Vgs（大值）±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）2628 pF @ 100 V

FET 功能-

功率耗散（大值）250W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装D2PAK（TO-263）

封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

单个 Vishay   SIHB068N60EF-GE3 

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