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NAND闪存:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A

NAND闪存:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
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VIP会员 第 4
  • 企业名:深圳市昴泽电子有限公司

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商品信息

NAND闪存:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
制造商:Micron Technology
产品种类:NAND闪存
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:BGA

NAND闪存:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A特征:
•兼容开放式NAND闪存接口(ONFI)2.2
•单层电池(SLC)技术
•组织
–页面大小x8:8640字节(8192 + 448字节)
–块大小:128页(1024K + 56K字节)
–飞机尺寸:2飞机x每飞机2048块
–设备大小:32Gb:4096个块;
64Gb:8192块;
128Gb:16,384块;
256Gb:32,768个块
•同步I / O性能
–高达同步定时模式5
–时钟频率:10ns(DDR)
–每个引脚的读取/写入吞吐量:200 MT / s
•阵列性能
–阅读页:35μs(MAX)
–程序页面:350μs(TYP)
–擦除块:1.5ms(TYP)
•工作电压范围
– VCC:2.7–3.6V
– VCCQ:1.7–1.95V,2.7–3.6V
•命令集:ONFI NAND闪存协议
•命令集
–程序缓存
–顺序读取缓存
–随机读取缓存
–性可编程(OTP)模式
–多平面命令
–多LUN操作
–读取ID
–复制

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A异步和同步信号定义:                               

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A:引脚48引脚TSOP:

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