^{STN2NF10 MOSFET STM}

^{制造商:   STMicroelectronics}      

^{产品种类:      MOSFET}

^{RoHS:     详细信息}    

^{技术:      Si}    

^{安装风格:      SMD/SMT}     

^{封装 / 箱体:  SOT-223-4}   

^{晶体管极性:   N-Channel}   

^{通道数量:      1 Channel}     

^{Vds-漏源极击穿电压:  100 V}    

^{Id-连续漏极电流:  2.4 A}     

^{Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms} 

^{Vgs - 栅极-源极电压:  - 20 V, + 20 V}      

^{Vgs th-栅源极阈值电压:      2 V} 

^{Qg-栅极电荷:       10 nC}    

^{工作温度:      - 55 C}   

^{Pd-功率耗散: 3.3 W}    

^{通道模式:      Enhancement}

^{商标名:   STripFET}

^{封装:      Cut Tape}

^{封装:      MouseReel}    

^{封装:      Reel}

^{配置:      Single}    

^{高度:      1.8 mm}  

^{长度:      6.5 mm}  

^{系列:      STN2NF10}     

^{晶体管类型:   1 N-Channel} 

^{类型:      MOSFET}

^{宽度:      3.5 mm}  

^{商标:      STMicroelectronics}      

^{下降时间:      3 ns}

^{产品类型:      MOSFET}

^{上升时间:      10 ns}     

^{工厂包装数量:      4000}      

^{子类别:   MOSFETs}      

^{典型关闭延迟时间:      20 ns}     

^{典型接通延迟时间:      6 ns}

^{单位重量:      112 mg}

^{STN2NF10 MOSFET STM}

^{深圳昴泽公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦。 深圳昴泽为了更好的服务于客户，提供一站式配套服务！欢迎垂询~}

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