BU406
ON(安森美)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
NPN型
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
NPN
200 V
400 V
企业名:深圳市华芯源电子有限公司
类型:生产制造商
电话:
0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276
手机:19129491930
15019275130
13392870205
联系人:张小姐/彭先生/苏小姐
微信:
邮箱:1139848500@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL
单位重量: 1.800 g
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL
单位重量: 1.800 g
产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 60 W
增益带宽产品fT: 10 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: BU406
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 7 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.1 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 4.7 mm
零件号别名: BU406TU_NL
单位重量: 1.800 g
企业名:深圳市华芯源电子有限公司
类型:生产制造商
电话:
0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276
手机:19129491930
15019275130
13392870205
联系人:张小姐/彭先生/苏小姐
微信:
邮箱:1139848500@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B