MMBT5551双极晶体管原装

制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
直流电集电极电流: 0.6 A
Pd-功率耗散: 300 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: MMBT5551
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 3.05 mm
技术: Si
宽度: 1.4 mm
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg

MMBT5551双极晶体管原装

制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
直流电集电极电流: 0.6 A
Pd-功率耗散: 300 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: MMBT5551
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 3.05 mm
技术: Si
宽度: 1.4 mm
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg

MMBT5551双极晶体管原装

制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 180 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
直流电集电极电流: 0.6 A
Pd-功率耗散: 300 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: MMBT5551
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 3.05 mm
技术: Si
宽度: 1.4 mm
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg

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类型：贸易/代理/分销

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