FDD8896-NBSW006

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FDD8896-NBSW006

FDD8896-NBSW006

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 94 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 80 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 41 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 106 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: FDD8896_NBSW006
单位重量: 330 mg

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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 94 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 80 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 41 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 106 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: FDD8896_NBSW006
单位重量: 330 mg

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 94 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 80 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 41 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 106 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: FDD8896_NBSW006
单位重量: 330 mg

企业名：深圳市吉铭贸易有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 13310877445

手机：13310877445

联系人：李小姐

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邮箱：3244201807@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强北新亚洲电子商城二期3楼N3D035