SI7850DP-T1-E3MOSFET MOSFET

制造商：
Infineon
产品种类：
MOSFET
安装风格：
SMD/SMT
封装 / 箱体：
SMD/SMT
封装：
Reel

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商品信息

SI7850DP-T1-E3

产品属性属性值搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 74 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - zui小值: 15 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000778134 BSC36N15NS3GXT BSC360N15NS3GATMA1
单位重量: 100 mg

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 74 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - zui小值: 15 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000778134 BSC36N15NS3GXT BSC360N15NS3GATMA1
单位重量: 100 mg

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 74 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single

上升时间: 6 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000778134 BSC36N15NS3GXT BSC360N15NS3GATMA1
单位重量: 100 mg