单通道：6N135M、6N136M、HCPL2503M、HCPL4502M、HCPL4503MD

双通道：HCPL2530M、HCPL2531M高速晶体管光电耦合器

6N136M特征
高速 –1 MBit/s
卓越的 CMR – 10kV/μs
双通道 HCPL2530M、HCPL2531M（初步）
CTR 保证 0–70°C
UL已识别（文件编号 E90700，第 2 卷）
5,000Vrms（1 分钟）隔离等级
zui低 15,000V/μs 的卓越 CMR。 (HCPL4503M)
>8mm 爬电距离和间隙（选项 T）
无底座连接以提高抗噪性（HCPL4502M、HCPL4503M）


6N136M应用
线路接收器
脉冲变压器更换
CMOS-LSTTL-TTL输出接口
宽带宽模拟耦合


描述

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 

光电耦合器由光学耦合到高速光电探测器晶体管的 AlGaAs LED 组成。

通过光电二极管的过电压变换器通过几个数量级的

光电二极管降低偏置速度的单独连接输入晶体管的集电极电容。

内部噪声屏蔽提供高达 50,000V/μs 的卓越共模抑制.

示意图

测试电路图

Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C，除非另有说明）
超过Absolute Maximum Ratings额定值的应力可能会损坏器件。
设备可能无法在建议的工作条件以上运行或运行，并且不建议将部件施加到这些水平。
 此外，长时间暴露于高于推荐工作条件的应力可能会影响器件的可靠性。Absolute Maximum Ratings

仅为应力额定值

符号 参数 条件值 单位
TSTG 储存温度 -40 至 +125°C
TOPR 工作温度 -40 至 +100°C
TSOL 铅焊料温度（波）260 持续 10 秒°C

发射器
IF (avg) DC/平均正向输入电流每通道(1)25mA
IF (pk)峰值正向输入电流每通道(2)50%占空比，1ms P.W.50mA
IF (trans) 峰值瞬态输入电流每通道≤1μs P.W., 300pps1.0A
VR反向输入电压每通道5V
PD 输入功耗 每通道 6N135M、6N136M、HCPL2503M、HCPL4502M、HCPL4503M  100mW
HCPL2530M、HCPL2531M(3)45

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