LTST-C193KRKT-5A  贴片0603红色指示LED灯珠

LTST-C193KRKT-5A尺寸图


Absolute Maximum Ratings At Ta=25℃  
参数 LTST-C193KRKT-5A 单位
功耗 50 mW
峰值正向电流（1/10 占空比，0.1ms 脉冲宽度） 40 mA 


直流正向电流 20 mA
反向电压 5 V
工作温度范围 -30°C 至 +85°C
存储温度范围 -40°C 至 +85°C
红外线焊接条件 260°C 10 秒

Ta=25℃时的电光学特性
参数 符号 零件号 LTST- Min.类型。MAX。单位 测试条件 


发光强度 IV C193KRKT-5A 7.1 - 45.0 mcd IF = 5mA
视角 2θ1/2 C193KRKT-5A 130 度
峰值发射波长 λP C193KRKT-5A 639 nm 测量
主波长 λd C193KRKT-5A 631 nm IF = 5mA
谱线半宽 Δλ C193KRKT-5A 20 nm
正向电压 VF C193KRKT-5A 1.70 - 2.30 V IF = 5mA
反向电流 IR C193KRKT-5A 10 μA VR = 5V


注意：
1. 使用光传感器和滤光片组合测量发光强度，该组合接近 CIE 眼睛响应曲线。
2、θ1/2为光强为轴向光强一半时的离轴角。
3. 主波长λd 来自CIE 色度图，代表定义器件颜色的单一波长。
4. ESD注意事项：静电和浪涌会损坏LED。
处理 LED 时，建议使用腕带或防静电手套。所有装置、设备和机械必须正确接地。


LTST-C193KRKT-5A封装图







ESD (Electrostatic Discharge) 静电或电涌会损坏 LED。 


防止 ESD 损坏的建议：处理这些 LED 时，请使用导电腕带或防静电手套。 


所有装置、设备和机械必须正确接地。 工作台、储物架等应妥善接地。 


使用离子风机来中和由于 LED 之间在存储和处理过程中的摩擦而可能在 LED 塑料透镜表面积聚的静电荷。 


ESD 损坏的 LED 会表现出异常特性，例如高反向漏电流、低正向电压或在低电流下“不亮”。 


要验证 ESD 损坏，请在低电流下检查可疑 LED 的“点亮”和 Vf。


 InGaN 产品的“好”LED 的 Vf 应 >2.0V@0.1mA，AlInGaP 产品的 Vf 应 >1.4V@0.1mA。

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