原装K4A8G165WB-BCTD DDR4 存储器芯片

8Gb B-die DDR4 SDRAM x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) 

原装K4A8G165WB-BCTD DDR4 存储器芯片的技术参数：

Density8 Gb

Org.512M x 16

Speed2666 Mbps

Voltage1.2 V

Temp.0 ~ 85°C

Package96FBGA

DRAM Type   DDR4 SDRAM

Chip Density (bit)    8G

Organization   512Mx16

Number of Internal Banks    8

Number of Words per Bank   64M

Number of Bits/Word (bit)       16

Data Bus Width (bit)          16

Maximum Clock Rate (MHz)       2666

Maximum Access Time (ns)       0.17

Address Bus Width (bit)       18

Interface Type          POD

品牌	SAMSUNG
温度规格	0 ~ 85 °C
电压	1.2V
速度	2666 Mbps
容量	8Gb
架构	512M x 16

原装K4A8G165WB-BCTD DDR4 存储器芯片 的描述：

8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85°C 96FBGA Mass Production

The 8Gb DDR4 SDRAM B-die is organized as a 64Mbit x 16 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2666Mb/sec/pin (DDR4-2666) for general applications.

企业名：深圳市迅丰达电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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