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K4H561638J-LCB3 原装 DDR SDRAM

供应K4H561638J-LCB3 原装  DDR SDRAM
供应K4H561638J-LCB3 原装  DDR SDRAM
金牌会员 第 3
  • 企业名:深圳市迅丰达电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 13824331138

    手机:13824331138

    联系人:陈小姐

    QQ: QQ:2885869107

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商品信息

K4H561638J-LCB3 原装  DDR SDRAM

 

K4H561638J-LCB3 原装  DDR SDRAM 的描述

The K4H560438J / K4H560838J / K4H561638J is 268,435,456 bits of double data rate synchronous DRAM organized as 4x 16,777,216/ 4x 8,388,608 / 4x 4,194,304 words by 4/8/16bits, fabricated with SAMSUNGs high performance CMOS technology.

 

Synchronous features with Data Strobe allow extremely high performance up to 400Mb/s per pin. I/O transactions are possible on both edges of DQS.

Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the device to be useful for a variety of

high performance memory system applications.

 

K4H561638J-LCB3 原装  DDR SDRAM 的技术参数:

制造商

SAMSUNG

型号

K4H561638J-LCB3 

描述

256Mb J-die DDR SDRAM

容量

256Mbit

架构

16Mx16

工作电压

2.5V

封装

TSOP-II

针脚数

66-Pin

RoHS

Lead-Free and Halogen-Free

 

100%原装现货▊  有需求联系我们

MT29F64G08CBABBWPR:B 10000 TSOP 22+ MICRON/美光

KLMBG2JETD-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

KLMAG1JETD-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

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KLM4G1FETE-B041 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

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K4E6E304EB-EGCF 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4E6E304EC-EGCG 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4B4G1646E-BCNB 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

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TC58NVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

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TC58BVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58BVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

NT5CC64M16GP-DII 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5CC64M16GP-DI 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

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H5AN8G6NCJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-UHC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41208HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41204HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

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