F50L1G41LB-104YG2M原装 NAND FLASH

F50L1G41LB (2M) 3.3V 1 Gbit SPI-NAND Flash Memory

 

F50L1G41LB-104YG2M原装 NAND FLASH 的技术参数：

 

F50L1G41LB-104YG2M原装 NAND FLASH 的描述：

串行电气接口遵循行业标准串行外围接口（SPI），在引脚数必须保持（min）的系统中提供了一种经济高效的非易失性存储器存储解决方案。该设备是基于标准并行NAND闪存的1Gb SLC SPI-NAND闪存设备，但为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是SPI-NOR的替代品，与SPI-OR相比，具有优异的写入性能和每比特成本。

该命令集类似于普通SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能和新特性。新功能包括用户可选择的内部ECC。启用内部ECC后，当页面写入内存阵列时，会在内部生成ECC代码。ECC代码存储在每页的备用区域中。当一个页面被读取到缓存寄存器时，ECC代码将再次计算并与存储值进行比较。如有必要，将纠正错误。设备要么输出校正数据，要么返回ECC错误状态。

内存被划分为可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据时保留有效数据。该设备包含1024个块，由64页组成，包含32个串联闪存单元的两个NAND结构。每个页面由2112字节组成，并进一步划分为2048字节的数据存储区和单独的64字节备用区。64字节区域通常用于内存和错误管理。

引脚用作信号端口。该设备有六条信号线加上VCC和接地（GND、VSS）。信号线是SCK（串行时钟）、SI（命令和数据输入）、SO（响应和数据输出）和控制信号CS#、HOLD#和WP#。

 F50L1G41LB-104YG2M原装 NAND FLASH 的封装图

KLMBG2JETD-B041 10K 22+

KLMAG1JETD-B041 10K 22+

KLM8G1GETF-B041 10K 22+

KLM4G1FETE-B041 10K 22+

K4E8E324EB-EGCF 10K 22+

K4E6E304EB-EGCF 10K 22+

K4E6E304EC-EGCG 10K 22+

K4B4G1646E-BCNB 10K 22+

K4A8G165WB-BCRC 10K 22+

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