类别
集成电路（IC）
存储器
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
512Mb（32M x 16）
存储器接口
并联
时钟频率
400 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
400 ps
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
84-TFBGA
供应商器件封装
84-FBGA（8x12.5）
基本产品编号
MT47H32M16
公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）MT47H32M16NF-25E IT:H
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV MT47H32M16NF-25E IT:H
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）MT47H32M16NF-25E IT:H
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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