分立半导体产品 晶体管IRFP4468PBF 产品属性
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 100 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A（Tc）  
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 2.6 毫欧 @ 180A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 540 nC @ 10 V  
Vgs（值） ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 19860 pF @ 50 V  
FET 功能 -  
功率耗散（值） 520W（Tc）  
工作温度 -55?C ~ 175?C（TJ）  
安装类型 通孔  
供应商器件封装 TO-247AC  
封装/外壳 TO-247-3  
基本产品编号 IRFP4468 

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 分立半导体产品 晶体管IRFP4468PBF 供应商介绍：

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