晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3  产品属性
型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列  
制造商 Vishay Siliconix  
系列 TrenchFET  
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 2 N-通道（双）  
FET 功能 逻辑电平门  
漏源电压（Vdss） 150V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 105 毫欧 @ 4.1A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 26nC @ 10V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） -  
功率 - 值 1.4W  
工作温度 -55?C ~ 150?C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
封装/外壳 PowerPAK SO-8 双  
供应商器件封装 PowerPAK SO-8 双  
基本产品编号 SI7956  

晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3  产品图片

晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3  供应商介绍：

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晶体管 - - SI7956DP-T1-GE3  供应商仓库：

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