MOSFET - 单个SQ2318AES-T1_BE3产品属性
类型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个  
制造商 Vishay Siliconix  
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET  
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 40 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Tc）  
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 31 毫欧 @ 7.9A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2.5V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 13 nC @ 10 V  
Vgs（值） ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 553 pF @ 20 V  
FET 功能 -  
功率耗散（值） 3W（Tc）  
工作温度 -55?C ~ 175?C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）  
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
基本产品编号 SQ2318 

MOSFET - 单个SQ2318AES-T1_BE3产品图片

MOSFET - 单个SQ2318AES-T1_BE3供应商介绍：

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