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分立半导体产品NDS331N

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商品信息

类型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个  
制造商 onsemi  
系列 -  
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带  
产品状态 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET(金属氧化物)  
漏源电压(Vdss) 20 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A(Ta)  
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 2.7V,4.5V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V  
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 1V @ 250μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 5 nC @ 4.5 V  
Vgs(大值) ±8V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 162 pF @ 10 V  
FET 功能 -  
功率耗散(大值) 500mW(Ta)  
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 SOT-23-3  
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
基本产品编号 NDS331 


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