MBRD2060CT 是一款专为低压高频大电流场景设计的肖特基二极管阵列,采用 TO-252贴片封装,集成双共阴极二极管结构,兼具高效能与紧凑布局优势。
电气性能:
- 反向重复峰值电压(VRRM):60V,适用于低压整流与续流场景。
- 平均正向电流(IF (AV)):20A,支持持续大电流负载。
- 正向压降(VF):典型值 0.75V@10A至 0.80V@10A,导通损耗显著低于传统硅二极管。
- 反向恢复时间(TRR):10ns,接近零纳秒的肖特基特性显著降低高频开关损耗。
- 浪涌电流能力:150A至 220A,可承受短时大电流冲击。
封装与结构:
- 封装类型:TO-252,表面贴装设计,3 引脚配置,金属基板与大面积焊盘支持高效散热。该封装采用背带散热片结构,可替代传统直插 DO-27 封装,减少人工成本并提升稳定性。
- 尺寸:10.3mm?6.6mm?2.3mm,引脚间距 2.54mm,紧凑设计便于高密度 PCB 布局。
工作条件:
- 温度范围:结温 - 55?C 至 %2B 150?C
- 湿度敏感性:符合 MSL 1 标准,无需特殊防潮处理。
- 开关电源:作为次级整流二极管,利用低正向压降特性降低导通损耗,适用于适配器、充电器等低压输出设备。
- 新能源系统:如储能逆变器、车载充电器,处理低压大电流转换,提升系统能效。
- 电机驱动:作为续流二极管保护电路,支持低压逆变器和直流电机驱动模块。
- 消费电子:如手机快充、智能家居设备,满足小型化与高效能需求。
- 安防与家电:适用于安防设备电源模块及家用电器的高效整流场景。
- 低反向漏电流:高温下保持 10μA@60V
- 高效性能:采用肖特基势垒技术,优化正向压降与恢复时间,适合 100kHz 以上高频应用。
- 封装优势:双二极管共阴极设计减少 PCB 空间占用,简化电路布局。TO-252 封装支持自然散热,建议 PCB 铜箔面积≥500mm? 以提升散热效率。
- 高可靠性:通过高纯度高温环氧树脂封装,增强机械强度与防潮性能,满足工业级应用需求。
- 结温范围:标准型号结温为 - 55?C 至 %2B 150?C
- 散热设计:建议采用过孔阵列增强散热,避免长期工作时过热。TO-252 封装的金属基板配合大面积焊盘可有效提升散热效率。