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BSR13 SOT-23 NPN 高速开关晶体管

  • 型号/规格:

    BSR13

  • 品牌/商标:

    SZXYL

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    小功率

  • 频率特性:

    高频

  • 极性:

    NPN型

VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳市新亿利电子有限公司

    类型:

    电话: 075582762266

    手机:15989314729

    联系人:黄小姐

    QQ: QQ:3003988563

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    邮箱:43064591@qq.com

    地址:广东深圳深圳市华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座2101 门市:深圳市福田区中航路新亚洲二期N1C999

商品信息 更新时间:2025-07-04

BSR13 产品概述

BSR13 是一款高性能 NPN 型中压开关晶体管,采用 SOT-23 表面贴装封装,专为30-40V 级中压开关与信号放大设计。其基于外延平面工艺制造,具备超低饱和压降、高频响应和稳定的电流增益特性,适用于需要高可靠性功率控制或精密信号处理的场景。紧凑的尺寸(2.90mm?1.30mm?1.10mm)和宽温度范围特性,使其成为消费电子、工业控制及电源管理等领域的理想选择,尤其适合对空间和能效要求严苛的中压应用。

BSR13 he心特点

  1. 中压与高电流处理能力
    • 集电极 - 发射极电压(VCEO)覆盖30-40V,支持消费电子、小家电等中压场景下的可靠运行,如手机充电器的功率开关或智能家居的低压控制电路。
    • 集电极电流(Ic)zui大值500-800mA
  2. 超低饱和压降与高频响应
    • 饱和压降(VCE (sat))低至1.3V@150mA/15mA或1.6V@50mA/500mA,显著降低导通损耗,提升能源效率,尤其适合电池供电设备。
    • 特征频率(fT)为250-300MHz
  3. 宽范围电流增益与稳定性
    • 直流电流增益(hFE)覆盖40-300
    • 电流增益线性度优异,适合精密控制电路
  4. 宽温度范围与可靠性
    • 工作温度范围为 **-65?C 至 %2B 150?C**或 **-55?C 至 %2B 150?C**
    • 符合 RoHS 标准

典型应用

  1. 低压功率开关
    • 在消费电子中作为 30-40V 系统的功率开关,利用其高电流特性驱动小型电机或继电器,例如小家电的控制电路。
    • 智能家居设备中作为 12V 电池系统的负载开关,支持直接驱动 LED 照明模块。
  2. 高频信号放大
    • 在通信设备中作为中高频放大器,利用其 250-300MHz 特征频率实现宽带信号调理,例如无线模块的射频放大电路。
    • 工业控制中作为传感器信号放大器,支持精密电流检测与信号线性放大。
  3. 功率管理与转换
    • 作为低压 DC-DC 转换器的控制开关,支持 30-40V 输入电压,适用于手机充电器或车载电子设备。
    • 在半桥拓扑中与 PNP 型晶体管(如 BSR15)搭配使用,实现互补驱动设计。
  4. 保护电路与接口
    • 在电源模块中作为过流保护开关,当输出电流超过 500-800mA 阈值时快速切断电路。
    • 与 TVS 二极管配合使用,构建低压浪涌防护模块,确保系统稳定性。

注意事项

  1. 散热设计
    • 在持续高电流场景下(如 Ic≥300mA),建议通过 PCB 敷铜或外部散热片控制结温,确保不超过 150?C。SOT-23 封装的典型热阻(RθJA)约为200-300K/W,当功耗超过 250mW 时需加强散热。
  2. ESD 防护
    • 器件对静电敏感,焊接时需使用防静电工具,避免直接触摸引脚。建议在生产环境中保持 50-70% 相对湿度,并使用接地工作台和防静电包装。
  3. 中压安全设计
    • 在 40V 以上的应用中,需确保 PCB 布局符合爬电距离和电气间隙要求,避免高压电弧风险。建议采用加强绝缘设计,并在关键节点添加过压保护元件。

BSR13 SOT-23 凭借其30-40V 中压特性、500-800mA 高电流承载能力和超低饱和压降,成为低压功率控制与信号处理的he心元件。

联系方式

企业名:深圳市新亿利电子有限公司

类型:

电话: 075582762266

手机:15989314729

联系人:黄小姐

QQ: QQ:3003988563

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邮箱:43064591@qq.com

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