SGT75T65SDM1P7描述

SGT75T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop Ⅲ）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

SGT75T65SDM1P7特点

• 75A,650V, V_{CE(sat)(典型值)}=1.65V@I_C=75A 
• 低导通损耗
• 快开关速度
• 高输入阻抗

IGBT的定义

    IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。

    GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大（因为V_be=0.7V,而I_C可以很大，跟PN结材料和厚度有关）；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT主要的作用就是把高压直流变为交流，以及变频（所以用在电动车上比较多）。

文字来源：网络整理

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