74AHCT2G126D全新进口原装柜台现货

型号/规格：
74AHCT2G126D
品牌/商标：
TI（德州仪器）

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产品分类

集成电路(IC)(5)
∟ 逻辑IC(2)∟ 其他IC(3)
电源IC(347)
∟ LDO(281)∟ DC-AC(19)∟ DC-DC(23)∟ LED驱动IC(5)∟ 稳压IC(10)∟ 充电管理IC(4)∟ 其他电源IC(6)
半导体存储器(23)
∟ ROM（只读存储器）(2)∟ QTP（掩膜ROM）(14)∟ NVROM(非易失随机存储器）(2)∟ PROM（可编程ROM）(4)∟ DRAM（MOS型动态存储器）(1)
二极管(63)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(23)∟ 整流二极管(10)∟ 稳压二极管(6)∟ 开关二极管(4)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(1)∟ 继流二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(3)∟ 瞬态(变)抑制二极管(6)∟ 触发二极管(1)∟ 肖特基二极管(3)∟ 发光二极管(2)∟ 微波二极管(1)∟ 其他二极管(2)
三极管(82)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(41)∟ 功率三极管(22)∟ 开关三极管(5)∟ 低噪声三极管(3)∟ 超高频/高频三极管(1)∟ 三端稳压管(器)(2)∟ 微波三极管(1)∟ 带阻三极管(2)∟ 三极管芯片(管芯)(2)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(15)
∟ MOSFET(13)∟ 结型场效应管(1)∟ GTR达林顿模块(1)
可控硅IGBT(4)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(4)
单片机(77)
∟ 单片机产品/套件(55)∟ 单片机开发板(1)∟ 单片机MCU(2)∟ 单片机仿真器(19)
电容器(1448)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(186)∟ 贴片可(微)调电容(1)∟ 可(微)调电容(1)∟ 铝电解电容(108)∟ 无极性铝电解电容(25)∟ 钽电解电容(31)∟ 合金电解电容(1)∟ 安规电容(35)∟ 高压电容(5)∟ 超级(法拉/黄金)电容(12)∟ 瓷片(瓷介)电容(122)∟ 瓷管电容(14)∟ 陶瓷电容(559)∟ 独石(层积)电容(11)∟ 固态电容(7)∟ 有机薄膜介质电容(297)∟ 涤纶电容(4)∟ 聚丙烯(CBB)电容(22)∟ 无感电容(1)∟ 校正电容器(2)∟ 其他电容(3)
电阻器(172)
∟ 贴片/片式电阻(40)∟ 碳膜电阻(37)∟ 金属(氧化)膜电阻(12)∟ 氧化膜电阻(1)∟ 复合膜电阻(5)∟ 玻璃釉膜电阻(2)∟ 水泥电阻(1)∟ 线绕电阻(5)∟ 排阻/网络电阻(8)∟ 高功率电阻(1)∟ 热敏电阻(17)∟ 光敏电阻(4)∟ 气敏电阻(1)∟ 压敏电阻(33)∟ 高频无感电阻(1)∟ 铝壳电阻(2)∟ 其他电阻(1)
电感器(341)
∟ 贴片电感(286)∟ 色环/色码电感(1)∟ 磁珠/磁环（环型）电感(17)∟ I型/棒型/一字型电感(5)∟ 射频/高频电感(1)∟ 功率电感(3)∟ 扼流线圈电感(7)∟ 共模电感(10)∟ EMI滤波器(10)∟ 其他电感器(1)
电位器(28)
∟ 合成碳膜电位器(4)∟ 陶瓷电位器(2)∟ 线绕电位器(1)∟ 单圈、多圈电位器(5)∟ 直滑式电位器(3)∟ 其他电位器(13)
微调电位器(166)
∟ 贴片/片状电位器(145)∟ 碳膜微调/预调电位器(13)∟ 玻璃釉微调/预调电位器(2)∟ 精密微调/预调电位器(5)∟ 密封式微调/预调电位器(1)
石英晶体器件(37)
∟ 贴片晶振(25)∟ 晶振(普通)(12)
压电陶瓷元件(6)
∟ 陶瓷滤波器(2)∟ 陶瓷谐振器(2)∟ 压电陶瓷换能器（片）(2)
连接器/接插件(23)
∟ 条形(压接式)连接器(4)∟ 线对线连接器(1)∟ FFC/FPC/薄膜电缆连接器(4)∟ IC连接器(1)∟ 端子台(5)∟ IC插座(3)∟ 端子接插件(3)∟ 光纤端子(1)∟ 其他连接器(1)
开关(8)
∟ 贴片/片式开关(1)∟ 轻触开关(2)∟ 拨动/滑动开关(3)∟ 接近开关(2)
传感器(1)
∟ 电磁传感器(1)
保险丝(45)
∟ 贴片保险丝(31)∟ 玻璃管保险丝(1)∟ 自恢复保险丝(13)
放电管(7)
∟ 气体放电管(4)∟ 陶瓷放电管(3)
普通电池/蓄电池/动力电池(2)
∟ 铅酸电池(1)
变压器(1)
∟ 整流/电源变压器(1)
继电器(28)
∟ 电磁继电器(16)∟ 磁保持继电器(1)∟ 功率继电器(1)∟ 固态继电器(1)∟ 热继电器(3)∟ 过流(欠流、欠相)继电器(1)∟ 启动继电器(1)∟ 其他继电器(4)
放大器(2)
电声元件(17)
∟ 电动式扬声器(1)∟ 蜂鸣器（片）/振铃/压电（陶瓷）扬声器(16)
电声(扬声器)配件(3)
∟ 其它电声(扬声器)配件(3)
微特电机(2)
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LED(37)
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显示屏/显示器件/配件(1)
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商品信息

66、SOW

(Small Outline Package(Wide-Jype))

宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。

制造

从1930年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的William Shockley认为是固态真空管的可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在1940到1950年代被系统的研究。今天，尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管，激光，太阳能电池和速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。

半导体IC制程，包括以下步骤，并重复使用：

黄光(微影)

蚀刻

薄膜

扩散

CMP

使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝制程和铜制程。

IC 由很多重叠的层组成，每层由图像技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。

在一个自排列（CMOS）过程中，所有门层（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。

电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。

电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。

更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟。

因为CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转换，CMOS设备比双级组件消耗的电流少很多。

随机存取存储器（random access memory）是常见类型的集成电路，所以密度的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。尽管结构非常复杂－几十年来芯片宽度一直减少－但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。

在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为“die”。每个好的die 被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。

在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美金，因为大部分操作是自动化的。[4]

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