制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.35 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 6.5 V
Qg-栅极电荷: 103 nC
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 543 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 34 ns
正向跨导 - 值: 5 S
工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: IXFH12N120
工厂包装数量: 30
商标名: Polar, HiPerFET
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
单位重量: 6.500 g

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