TIP35C的主要参数

型号：TIP35C

制造商:STMicroelectronics

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

 安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:1.8 V

直流电集电极电流:25 A

Pd-功率耗散:125 W

增益带宽产品fT:3 MHz

工作温度:- 65 C

工作温度:+ 150 C

系列:TIP35C

高度:20.15 mm 

长度:15.75 mm 

技术:Si 

宽度:5.15 mm 

商标:STMicroelectronics 

集电极连续电流:25 A

 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

工厂包装数量:600 

子类别:Transistors 

单位重量:6.500 g

Mouser编号：511-TIP35C

制造商编号：TIP35C

制造商：STMicroelectronics

说明：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power

公司简介：

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