型号；IRF640NPBF IRF640NPBF IRF640NPBF

制造商:Infineon 

产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:200 VId-

连续漏极电流:18 ARds On-

漏源导通电阻:150 mOhmsVgs - 

栅极-源极电压:20 VQg-

栅极电荷:44.7 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 175 CPd-

功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm 

长度:10 mm 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon Technologies

 正向跨导 - 值:6.8 S 

下降时间:5.5 ns

 产品类型:MOSFET 

上升时间:19 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:23 ns

 典型接通延迟时间:10 ns 

零件号别名:SP001570078 IRF640NPBF

 单位重量:6 g

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