IRF5305PBF的主要参数

型号：IRF5305PBF

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:31 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:42 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

封装:Tube

高度:15.65 mm 

长度:10 mm 

晶体管类型:1 P-Channel 

宽度:4.4 mm

 商标:Infineon Technologies 

正向跨导 - 值:8 S 

下降时间:63 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:66 ns

 工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:39 ns

 典型接通延迟时间:14 ns

 零件号别名:SP001564354

 单位重量:6 g

Mouser编号：942-IRF5305PBF

制造商编号：IRF5305PBF

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC

公司简介：

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