NPTB00004的主要参数

型号：NPTB00004

制造商:MACOM

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

 晶体管类型:HEMT

技术:GaN Si

增益:16 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

最大工作温度:+ 200 C

Pd-功率耗散:11.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

封装:Tray

工作频率:6 GHz 

商标:MACOM

 产品类型:RF JFET Transistors Rds

 On-漏源导通电阻:1.6 Ohms 

工厂包装数量:1 

子类别:Transistors

 Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.6 V

 单位重量:220 mg

Mouser编号：937-NPTB00004A

制造商编号：NPTB00004A

制造商：MACOM

说明：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT

公司简介：

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