CGH35240F  的主要参数

型号：CGH35240F  

造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制： Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 

 晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:11.6 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:24 A

输出功率:240 W

漏极/栅极电压:-

工作温度:- 40 C

工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:440201

封装:Tray

应用:- 

配置:Single

 高度:3.76 mm

 长度:24.33 mm

 工作频率:3.1 GHz to 3.5 GHz

 工作温度范围:- 

产品:GaN HEMT 

宽度:23.62 mm

 商标:Wolfspeed / Cree

 正向跨导 - 值:- 

闸/源截止电压:- 

类:-

 开发套件:CGH35240F-TB 

下降时间:- 

NF—噪声系数:- 

P1dB - 压缩点:- 

产品类型:RF JFET Transistors Rds 

On-漏源导通电阻:- 

上升时间:- 

工厂包装数量:10 

子类别:Transistors 

典型关闭延迟时间:-

 Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

Mouser编号：941-CGH35240F

制造商编号：CGH35240F

制造商：Wolfspeed / Cree

说明：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt

公司简介：

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