Infineon绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器IC是用于IGBT和MOSFET的电平转换高压栅极驱动器IC。
SOI技术是一种高电压、电平移位技术，具有独特、可衡量以及业内的优势。
其中包括集成式自举二极管 (BSD) 和业界的稳健性，可防止负瞬态电压尖峰。
每个晶体管都由嵌入的二氧化硅隔离，消除了导致闭锁的寄生双极晶体管。
该技术还可以降低电平转换功率损耗，从而限度地降低器件开关功耗。
先进的工艺支持采用具有技术增强优势的单片高压和低压电路结构。

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