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TI JFE150DCKT JFET晶体管

TI JFE150DCKT JFET晶体管
TI JFE150DCKT JFET晶体管
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  • 企业名:深圳市兴中芯科技有限公司

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商品信息 更新时间:2022-05-23


Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET

Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET是一款Burr-Brown?分立式JFET,采用Texas Instruments的现代高性能模拟双极工艺制造而成。JFE150具有先前旧分立式JFET技术没有的性能。JFE150具有zui大的噪声-功率效率和灵活性,用户可在其中设置静态电流,在50?A至20mA电流范围内具有出色的噪声性能。该器件在5mA时偏置时产生0.8nV/√Hz输入参考噪声,具有超低噪声性能和极高输入阻抗 (>1TΩ)。JFE150还设有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高漏电、非线性外部二极管即可提供保护。

Texas Instruments JFE150可承受40V高漏极-源极电压,以及低至-40V栅极-源极和栅极-漏极电压。额定温度范围为-40°C至+125°C。该器件目前采用5引脚SOT-23封装。

特性

  • 超低噪声
    • 电压噪声
      • 0.8nV/√Hz(1kHz、ID=5mA)
      • 0.9nV/√Hz(1kHz、ID=2mA时)
    • 电流噪声
      • 1.8fA/√Hz(1kHz时)
  • 低栅极电流:10pA(zui大值)
  • 低输入电容(VDS=5V时为24pF)
  • 高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压:–40V
  • 高跨导:68mS
  • 小型SC70封装

应用

  • 麦克风输入
  • 检漏器和海洋设备
  • DJ控制器、混频器和其他DJ设备
  • zhuan业音频混频器或控制表面
  • 吉他放大器和其他乐器放大器
  • 状态监测传感器


TLC5928RGET
TPS61181RTET
TPS61182RTER
LM3410XQMF/NOPB
LM3410XMFE/NOPB
LM3450AMT/NOPB
LM3410YMF/NOPB
LM2705MF-ADJ/NOPB
LM3423Q1MHX/NOPB
LM2753SD/NOPB
JFE150DCKT  TPS61166DSKT
LM3509SDE/NOPB
TLC5920DLR
TPS61150ADRCT
TLC59581RTQR
JFE150DCKT   TLC59731DR
TPS92513HVDGQR
TPS61158DRVR
LP5009PWR
TLC59281DBQR
TL4242TDRJRQ1
JFE150DCKT   LP5012PWR
TPS92511DDAR
TPS92513DGQT
TPS92512DGQR  JFE150DCKT





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