TI UCC5870QDWJQ1 门驱动器

型号/规格：
UCC5870QDWJQ1
品牌/商标：
Texas Instruments
封装：
SSOP-36
批号：
UCC5870QDWJQ1
激励器数量:：
1 Driver
输出端数量:：
1 Output
输出电流:：
30 A

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商品信息

Texas Instruments UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器

Texas Instruments UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款功能安全兼容、隔离、高度可配置的单通道栅极驱动器，设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC MOSFET和IGBT。功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流、基于NTC的过热和DESAT检测，包括这些故障时的可选软关断或两级关断。为了进一步减小应用尺寸，Texas Instruments UCC5870-Q1在开关时集成了4A有源米勒钳位，在驱动器断电时集成了有源栅极下拉功能。集成的10位ADC支持监控多达六个模拟输入和栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成诊断和检测功能，简化ASIL-D兼容系统的设计。这些特性的参数和阈值可通过SPI接口进行配置，因此该器件几乎可以与任何SiC MOSFET或IGBT搭配使用。

特性

分离输出驱动器提供15A峰值拉电流和15A峰值灌电流
可调“动态”栅极驱动强度
互锁和击穿保护，具有150ns（zui大值）传播延迟和可编程zui小脉冲抑制
yi次侧和二次侧有源短路 (ASC) 支持
可配置功率晶体管保护
- 基于DESAT的短路保护
- 基于分流电阻的过流和短路保护
- 基于NTC的过热保护
- 功率晶体管故障时可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF)
集成诊断：可提供文档，帮助高达ASIL-D的ISO26262系统设计
- 内置自检 (BIST)，用于保护比较器
- IN+至晶体管栅极路径完整性
- 功率晶体管阈值监控
- 内部时钟监控
- 故障报警 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出