TI LM74810QDRRRQ1 电源管理 (PMIC)

型号/规格：
LM74810QDRRRQ1
品牌/商标：
Texas Instruments
封装：
WSON-12
批号：
LM74810QDRRRQ1
输出电流:：
18 A
输入电压范围:：
3 V to 65 V
输出电压范围:：
12.5 V to 14.5 V

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商品信息

Texas Instruments LM7481-Q1汽车用理想二极管控制器

Texas Instruments LM7481-Q1汽车理想二极管控制器具有有源整流和可调节过压切断保护功能，用于负载突降保护。LM7481-Q1可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。该器件具有3V至65V宽输入电源电压范围，可保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。LM7481-Q1可承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的影响。

TI LM7481-Q1汽车理想二极管控制器具有集成理想二极管控制器 (DGATE)，可驱动shou个替代肖特基二极管的MOSFET，实现反向输入保护和输出电压保持。3.8mA大电荷泵具有60mA峰值栅极拉电流驱动器级和短导通和关断延迟时间，可确保快速瞬态响应。这样即可在ISO16750或LV124等汽车测试中实现稳健高效的MOSFET开关性能，其中ECU取决于输入短路中断，交流叠加输入信号频率高达200kHz。LM7481-Q1控制器通过HGATE控制实现负载断开（开/关控制）和过压保护，在电源路径中设有第二个MOSFET。

特性

符合汽车应用类AEC-Q100标准
- 器件温度1级：-40°C至+125°C环境工作温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C4B
输入范围：3V至65V
反向输入保护至-65V
驱动外部背靠背N沟道MOSFET
理想二极管运行，具有9.1mV A至C正向电压降调节
低反向检测阈值 (–4mV)，快速响应 (0.5?s)