TI DRV3245CQPHPRQ1 /点火控制器和驱动器

型号/规格：
DRV3245CQPHPRQ1
品牌/商标：
Texas Instruments
封装：
HTQFP-48
批号：
DRV3245CQPHPRQ1
工作电源电压：
4.5 V to 45 V

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商品信息

Texas Instruments DRV3245Q-Q1栅极驱动单元 (GDU)

Texas Instruments DRV3245Q-Q1栅极驱动单元 (GDU) 是一款FET栅极驱动器IC，用于三相电机驱动应用，按照ISO 26262功能安全应用的相关要求设计。该器件具有三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道MOSFET，同时还提供先进的FET保护和监测。电荷泵驱动器实现100%占空比，支持冷启动运行时低电池电压。整合了电流感应放大器，加上集成式相比较器，基于SPI的驱动器及其外围设备配置，不仅降低了物料清单 (BOM) 成本，而且节省了印刷电路板 (PCB) 空间，因为消除了大部分外部和无源元件。

特性

符合汽车应用类AEC-Q100标准
- 器件温度等级1：-40°C至+125°C，TA
SafeTI?半导体元件
- 按照ISO 26262的相关要求开发。
工作电压：4.5V至45V
可编程峰值栅极驱动电流高达1A
支持100%占空比的电荷泵栅极驱动器
分流放大器和相比较器
- A类器件：3个分流放大器和3相比较器，通过SPI实现状态显示
- B类器件：2个分流放大器和3相比较器，通过数字引脚实现实时监测
可控制3 PWM或6 PWM输入，频率zui高可达20kHz

能够进行单PWM模式换向
支持3.3V和5V数字接口
串行外设接口 (SPI)
耐热增强型48引脚HTQFP封装
保护特性
- 内部稳压器、电池电压监控器
- SPI CRC
- 时钟监视器
- 模拟内置自检功能
- 可编程死区时间控制
- MOSFET 击穿保护
- MOSFET VDS过流监视器
- 栅极-源极电压实时监视器
- 过热警告和关断